中新网深圳11月11日电 (朱族英)深圳市工业和信息化局局长余锡权在11日举办的国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上称,此前,工业和信息化部批复组建的国家5G中高频器件创新中心落地深圳。该创新中心聚焦新型半导体材料及工艺、5G中高频核心器件、面向射频前端的硅基毫米波集成芯片等三大研发方向。 据悉,国家5G中高频器件创新中心是继国家高性能医疗器械创新中心之后,深圳获批建设的第2家国家制造业创新中心,依托深圳市汇芯通信技术有限公司组建。 国家5G中高频器件创新中心总经理樊晓兵介绍,创新中心紧扣5G及未来通信中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术,搭建硅基GaN射频和毫米波的量产技术研发中试平台。
中新网深圳11月11日电 (朱族英)深圳市工业和信息化局局长余锡权在11日举办的国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上称,此前,工业和信息化部批复组建的国家5G中高频器件创新中心落地深圳。该创新中心聚焦新型半导体材料及工艺、5G中高频核心器件、面向射频前端的硅基毫米波集成芯片等三大研发方向。 据悉,国家5G中高频器件创新中心是继国家高性能医疗器械创新中心之后,深圳获批建设的第2家国家制造业创新中心,依托深圳市汇芯通信技术有限公司组建。 国家5G中高频器件创新中心总经理樊晓兵介绍,创新中心紧扣5G及未来通信中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术,搭建硅基GaN射频和毫米波的量产技术研发中试平台。